回收电容厂家
产品描述
品牌 | ST/意法 | 型号 | 进口 |
应用范围 | 功率 | 材料 | 锗(Ge) |
存储类FLASH芯片,如东芝,三星,海力士,镁光,华邦。
通信类电子元器件,如通信IC、通信模块、功率模块、CPLD、内存、大功率IBGT、DSP、服务器CPU、硬盘、服务器网卡等。
通讯类电子元器件,如通讯IC、电脑CPU、手机CPU、GPU、高通芯片、联发科芯片、内存FLASH、EMMC、鼠标IC、驱动IC等。
3回收三极管
长期收购三极管,贴片三极管,可控硅,场效应管,MOS管等等物料。(FAIRCHILD仙童,TOSHIBA东芝,ON,ST,INFINEON英飞凌,NS国半,长电,IR等等品牌三极管。)
特性 正向性
外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零,这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后,PN结内电场被克服,二极管正向导通,电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内,导通时二极管的端电压几乎维持不变,这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值
,内电场很快被削弱,特性电流迅速增长,二极管正向导通。
叫做门坎电压或阈值电压,硅管约为0.5V,锗管约为0.1V。硅二极管的正向导通压降约为0.6~0.8V,锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V。 反向性 外加反向电压不超过一定范围时,通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小,二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流,二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多,小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级,小功率锗管在μA数量级。温度升高时,半导体受热激发,少数载流子数目增加,反向饱和电流也随之增加。
回收电容厂家
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