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回收电容电话


回收电容电话
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产品型号:进口 原产地:
品牌:ST/意法 产品数量:10
价格:10元 产品关键字:回收电容
行业: 电子 >三极管 >高反压三极管
发布时间:2023/2/20 9:22:37

企业信息

  • 公司经营性质:贸易型
  • 电话:158-21671338
  • 地址:上海浦东新区浦东新区张江高科

产品描述

品牌ST/意法型号进口
应用范围功率材料锗(Ge)
封装形式贴片型
    

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  特性曲线与PN结一样,二极管具有单向导电性。硅二极管典型伏安

  特性曲线(图)。在二极管加有正向电压,当电压值较小时,电流极小;当电压超过0.6V时,电流开始按指数规律增大,通常称此为二极管的开启电压;当电压达到约0.7V时,二极管处于完全导通状态,通常称此电压为二极管的导通电压,用符号UD表示。对于锗二极管,开启电压为0.2V,导通电压UD约为0.3V。在二极管加有反向电压,当电压值较小时,电流极小,其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压超过某个值时,电流开始急剧增大,称之为反向击穿,称此电压为二极管的反向击穿电压,用符号UBR表示。不同型号的二极管的击穿电压UBR值差别很大,从几十伏到几千伏。 反向击穿 齐纳击穿 反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下,因势垒区宽度很小,反向电压较大时,破坏了势垒区内共价键结构,使价电子脱离共价键束缚,产生电子-空穴对,致使电流急剧增大,这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低,势垒区宽度较宽,不容易产生齐纳击穿。


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