回收FLASH芯片
产品描述
品牌 | ST/意法 | 型号 | 进口 |
应用范围 | 功率 | 材料 | 锗(Ge) |
封装形式 | 贴片型 |
举例 编辑下面是一个评估SDRAM性能的简单例子。对于100MHz的系统来说,一个系统时钟周期为10ns。粗略的计算一下:读取数据的总延迟时间=CAS Latency 延迟 + 存取时间。例如:Hyundai PC-100 SDRAM,存取时间为8ns,CL2模式。因此,总的延迟时间为 =2 x 周期 + 存取时间 =2 x 10 ns + 8 ns = 28 ns如果SDRAM运行在CL3模式下,存取时间为6ns。这样,总的时间延迟为 =3 x 10 ns + 6 ns = 36 ns显然,当SDRAM运行在CL2模式下,其速度完全快于CL3模式。
回收FLASH芯片
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