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若大于此值，则反向电流剧，二极管的单向导电性被，从而引起反向击穿。 　早在1938年，德国物理学家Walter Schottky了金属-半导体的模型。 首先当然还是要从电容的主要参数谈起，这是电容的根本。有些小问题是可以预防并且能够有效避免的。， 而重庆达标电子作为由经销商发展成厂家，经过了十几年已经可以成熟的为各个企业配套服务，不仅在存货方面、资金方面可以全力支持，还有产品的以及价格均有优势。
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高速运放需要使用更小的电容，当闭环放大倍数太小时，太强的反馈容易引起自激振荡。　　集成运放的动态特性　　理想集成运放应该对任何频率的输入信号具有完全一致的放大特性。　　实际集成运放电路由于内部分布电容、布线电感的存在，当输入信号频率很高时，这些分布电容和电感将不能忽略，从而影响了信号的线性放大。

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这个不能使二极管导通卣向电压称为死区电压。软恢复对减小EMI有一定的好处。 电容的重要目标 容量：电容的容量，即贮存电荷的容量。两表笔分别接二极管的两个电;，如果参数大很多，

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