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　4、应用电路的峰值工作电压应小于肖特基二极管的反向击穿电压Vrrm，一般不大于额定电压Vrrm的80%。 3.镀锡：目前分两种，亮脚和粉脚各有优势，亮脚上锡快，储存时间长；粉脚上锡非常快，但易氧化。另一方面，地方集成电路投资高涨，国内公司和公司多形式的合作多。 9、倍用二极管 对二极管的倍作用而言，有依靠变容二极管的倍和依靠阶跃二极管的倍。IF为正向电流，IRM为反向恢复电流。

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IC检测的设备，由于IC的生产量通常非常巨大，因此向万用表、示波器一类手工测试一起一定是不能胜任的，目前的测试设备通常都是全自动化、多功能组合测量装置，并由程序控制，你基本上可以认为这些测试设备就是一台测量专用工业机器人。　　IC的测试是IC生产流程中一个非常重要的环节，在目前大多数的IC中，测试环节所占成本常常要占到总成本的1/4到一半。

验证MOS器件的bulk端的连接性对判断一个电路是否容易受到与电源域相关的可靠性问题的影响非常重要。图2显示的是，一个不当的bulk 端的连接是如何因为bulk电压的上升而让 PMOS 栅易受到 NBTI 的影响的。2.jpg图2：采用 Calibre PERC 的 TDDB 检查法：一个具有高压路径的薄栅氧 PMOS（型号：pmos_lv）可能会导致 NTBI 。

二极管的导电特性　二极管重要的特性就是单方向导电性。 其他目标：有的电容上还有一条金色的带状线，上面印有一个大大的空心I字母，它表明该电容归于LOWESR低损耗电容。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和e流I0。采用Rx10kΩ挡对电解电容器进行反向充电，从电路来说，总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。

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